発明情報

背景

最近のヌクレアーゼ技術の進歩により、ヒト胚性幹細胞（ESC）やiPS細胞での遺伝子ターゲティング効率は向上しましたが、一塩基変異の導入は、濃縮や選択手段が乏しいため未だに困難でした。従来は抗生物質耐性マーカーによるポジティブ選択が用いられていましたが、遺伝子ターゲティング後にこのマーカーを傷跡なく除去することが重要でした。よって、外来遺伝子導入の痕跡を完全に除去することができる代替法を探す必要がありました。

発明概要と利点

本発明は、マイクロホモロジー配列を利用して導入遺伝子を継目なく除去する新規の遺伝子改変法を提供します。本方法は、ゲノムから選抜カセット配列（遺伝子導入部分）を継目なく取り除くことができ、ゲノムに継目のない点変異を導入します。また、変異体およびその同質遺伝子系統細胞株を同時に作製します。

従来の方法では、遺伝子導入に伴い変異が導入され、またその導入位置も不特定でしたが、本方法では導入の痕跡を完全に消し去ることができます。また、点変異体を作成する際に特定の位置に変異を導入することが可能となります。

⮚幅広い応用性

      本方法のiPS細胞ゲノム技術への応用において、遺伝子活性化またはノックアウトの際に外来遺伝子導入の痕跡を完全に除去することができるため、細胞療法等への幅広い応用が可能となります。

⮚新規性

　　導入遺伝子を完全に除去する本方法は、従来の方法（PiggyBac, Cre/loxP）よりも適用範囲が広い新規遺伝子改変法です。

図 本発明による遺伝子改変の概要